Fabrycznie produkowany kondensator tłumiący do IGBT - dielektryk o niskiej stracie z folii polipropylenowej Kondensator tłumiący do zastosowań IGBT – CRE

Krótki opis:

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Powiązane wideo

Opinie (2)

Innowacyjność, doskonałość i niezawodność to fundamentalne wartości naszej firmy. Zasady te dziś, bardziej niż kiedykolwiek, stanowią podstawę naszego sukcesu jako międzynarodowego przedsiębiorstwa średniej wielkości.Kondensator DC-Link do zastosowań motoryzacyjnych , Kondensatory DC-Link w przetwornicach mocy , Kondensator foliowy polipropylenowy wysokiego napięciaPriorytetem jest dla nas jakość i zadowolenie klienta, dlatego stosujemy rygorystyczne środki kontroli jakości. Posiadamy własne zaplecze testowe, gdzie nasze produkty są testowane pod każdym względem na różnych etapach przetwarzania. Dzięki najnowocześniejszym technologiom, zapewniamy naszym klientom dostęp do spersonalizowanych rozwiązań produkcyjnych.

Kondensator tłumiący do zastosowań w układach IGBT produkowany fabrycznie - dielektryk o niskich stratach z folii polipropylenowej Kondensator tłumiący do zastosowań w układach IGBT - CRE Szczegóły:

Seria SMJ-P

Zakres napięcia znamionowego: 1000 VDC do 2000 VDC
Zakres pojemności: od 0,1 uf do 3,0 uf
Rozstaw otworów montażowych: 22,5 mm do 48 mm
Konstrukcja: Metalizowane połączenie szeregowe wewnętrzne dielektryczne z polipropylenu
Zastosowanie: Ochrona IGBT, obwody z zbiornikiem rezonansowym

Samonaprawiające się, suche elementy kondensatora tłumiącego są produkowane ze specjalnie profilowanej, metalizowanej folii PP ciętej falowo, co zapewnia niską samoindukcję, wysoką odporność na pękanie i wysoką niezawodność. Odłączenie pod wpływem nadmiernego ciśnienia nie jest konieczne. Górna część kondensatora jest uszczelniona samogasnącą, przyjazną dla środowiska żywicą epoksydową. Specjalna konstrukcja zapewnia bardzo niską samoindukcję.

IMG_0397.HEIC

Tabela specyfikacji

Woltaż	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Wymiary (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100kHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33

Woltaż	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Wymiary (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Woltaż	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Woltaż	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Woltaż	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Woltaż	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Zdjęcia szczegółów produktu:

Przewodnik po produktach pokrewnych:

Naszym celem jest „przyjaźń dla klienta, zorientowanie na jakość, integracja i innowacyjność”. „Prawda i uczciwość” to ideał naszego zarządzania. Fabrycznie produkujemy kondensatory tłumiące do tranzystorów IGBT – dielektryk o niskiej stratności z folii polipropylenowej. Kondensatory tłumiące do zastosowań w tranzystorach IGBT – CRE. Produkt będzie dostarczany na cały świat, m.in. do Ghany, Haiti i Brazylii. Nasze produkty cieszą się uznaniem i zaufaniem użytkowników, a także mogą sprostać stale zmieniającym się potrzebom gospodarczym i społecznym. Zapraszamy nowych i stałych klientów z różnych środowisk do kontaktu z nami w celu nawiązania przyszłych relacji biznesowych i osiągnięcia wspólnego sukcesu!

Bank kondensatorów foliowych AC