Kondensator tłumiący GTO w sprzęcie energoelektronicznym

Krótki opis:

Obwody tłumiące są niezbędne dla diod stosowanych w obwodach przełączających.Może uchronić diodę przed skokami przepięć, które mogą powstać podczas procesu odzyskiwania wstecznego.

Wyślij e-mail do nas Pobierz jako plik PDF

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Dane techniczne

Zakres temperatury pracy	Maksymalna temperatura robocza. Góra, maks.: + 85 ℃ Temperatura górnej kategorii: + 85 ℃ Temperatura dolnej kategorii: -40 ℃
zakres pojemności	0,22 ~ 3 μF
Napięcie znamionowe	3000 V DC ~ 10000 V DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Wytrzymuje napięcie	1,35 un DC/10 s
Współczynnik rozproszenia	tgδ≤0,001 f=1KHz
Rezystancja izolacji	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (przy 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (przy 20℃ 100V.DC 60S)
Wytrzymaj prąd uderzeniowy	zobacz arkusz danych
Długość życia	100000h (Un; Θhotspot ≤70°C)
Norma referencyjna	IEC 61071;

Funkcja

1. Taśma mylarowa uszczelniona żywicą;

2. Przewody z nakrętką miedzianą;

3. Odporność na wysokie napięcie, niski tgδ, niski wzrost temperatury;

4. niski ESL i ESR;

5. Wysoki prąd impulsowy.

Aplikacja

1. Tłumik GTO.

2. Szeroko stosowane w sprzęcie energoelektronicznym, gdy napięcie szczytowe, ochrona przed absorpcją prądu szczytowego.

Typowy obwód

Rysunek konturowy

Specyfikacja

Un=3000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1,5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4,0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1,0	43	80	92	28	850	850	30
1,5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1,5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1,5	95	114	123	30	800	1200	70