Kondensator tłumiący GTO w urządzeniach elektroniki mocy

Krótki opis:

Układy tłumiące są niezbędne w przypadku diod stosowanych w obwodach przełączających. Mogą one chronić diodę przed skokami napięcia, które mogą wystąpić podczas procesu odzyskiwania napięcia.

Wyślij do nas e-mail Pobierz jako PDF

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Dane techniczne

Zakres temperatur pracy	Maksymalna temperatura pracy, góra, maks.: +85℃Temperatura kategorii górnej: +85℃Temperatura kategorii dolnej: -40℃
zakres pojemności	0,22～3μF
Napięcie znamionowe	3000 V DC～10000 V DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Wytrzymałość na napięcie	1,35Un DC/10S
Współczynnik rozproszenia	tgδ≤0,001 f=1kHz
Rezystancja izolacji	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (przy 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33 μF RS*C≥5000S (przy 20℃ 100V.DC 60S)
Wytrzymać prąd uderzeniowy	zobacz kartę danych
Długość życia	100000h (Un; Θhotspot ≤70°C)
Wzorzec odniesienia	IEC 61071 ;

Funkcja

1. Taśma mylarowa, uszczelniona żywicą;

2. Przewody z nakrętką miedzianą;

3. Odporność na wysokie napięcie, niskie tgδ, niski wzrost temperatury;

4. niski poziom ESL i ESR;

5. Wysoki prąd impulsowy.

Aplikacja

1. Tłumik GTO.

2. Szeroko stosowane w urządzeniach elektronicznych dużej mocy, w przypadku szczytowego napięcia i szczytowego poboru prądu.

Typowy obwód

Rysunek konturowy

Specyfikacja

Un=3000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	Dł. (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1,5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	Dł. (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	Dł. (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1,5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	Dł. (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1,5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Pojemność (μF)	φD (mm)	Dł. (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1,5	95	114	123	30	800	1200	70